| 描述 | MOSFET N-CH 200V 1.9A 8-TSSOP | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 200V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 450 毫欧 @ 900mA，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 10nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 600pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | - | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-TSSOP |
| 包装 | 带卷 (TR) |
