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  • TPS1101DRG4

TPS1101DRG4

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$1.013
描述MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOICFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)15V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C90 毫欧 @ 2.5A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs11.25nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds-
功率 - 最大791mW安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商设备封装8-SOIC
包装带卷 (TR)

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