描述 | IC DUAL HS MOSFET DRVR 8-SOIC | 输入类型 | 反相 |
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延迟时间 | 25ns | 电流 - 峰 | 2A |
配置数 | 2 | 输出数 | 2 |
高端电压 - 最大(自引导启动) | - | 电源电压 | 4 V ~ 14 V |
工作温度 | -40°C ~ 125°C | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SOIC |
包装 | 带卷 (TR) |
【Texas Instruments】TPS2811DRG4,IC DUAL HS MOSFET DRVR 8-SOIC
【Texas Instruments】TPS2811PWG4,IC DUAL HS MOSFET DRVR 8-TSSOP
【Texas Instruments】TPS2811PWR,IC DUAL HS MOSFET DRVR 8-TSSOP
【Texas Instruments】TPS2811PWRG4,IC DUAL HS MOSFET DRVR 8-TSSOP
【Texas Instruments】TPS2811QPWRQ1,IC MOSFET DVR DUAL HS 8TSSOP