| 晶体管类型 | NPN | 最低工作温度 | -55 °C |
|---|---|---|---|
| 最大功率耗散 | 1960 mW | 最大发射极-基极电压 | 10 V |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.2 V | 最大直流集电极电流 | 1.5 A |
| 最大集电极-发射极电压 | 530 V | 最大集电极-发射极饱和电压 | 2 V |
| 最大集电极-基极电压 | 900 V | 最小直流电流增益 | 6 V |
| 最高工作温度 | +150 °C | 最高工作频率 | 4 MHz |
| 每片芯片元件数目 | 1 | 类别 | 双极功率 |
| 配置 | 单 | 长度 | 4.7mm |
| 高度 | 4.7mm |
【Taiwan Semiconductor】TS13003MVCT,Transistors Bipolar (BJT) High Vltg NPN transistor
【Taiwan Semiconductor】TS13005CZ,Transistors Bipolar (BJT) NPN 700V 4.0A High Voltage/Speed
【Taiwan Semiconductor】TS13007BCZ,Transistors Bipolar (BJT) NPN 700V 8.0A High Voltage/Speed
【Taiwan Semiconductor】TS13009CZ,Transistors Bipolar (BJT) NPN 700V 12A High Voltage/Speed