| 描述 | -20V, -8A, COMPLEMENTARY P-CHANN | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.5A（Ta），10A（Tc），4.4A（Ta），8A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 40 毫欧 @ 5.5A，4.5V，70 毫欧 @ 4.4A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 7.5nC @ 4.5V，9.4nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 534pF @ 10V，909pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 1.89W（Ta），5W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | 6-DFN（2x2） |
