| 描述 | 30V, 107A, DUAL N-CHANNEL POWER | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 N 沟道（双）非对称型 | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Ta），38A（Tc），20A（Ta），107A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 11.7 毫欧 @ 10A，10V，3.6 毫欧 @ 20A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 9.3nC @ 10V，49nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 555pF @ 15V，2550pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 2.2W（Ta），30W（Tc），2.4W（Ta），69W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装 | 8-PDFN（5x6） |
