描述 | MOSFET N-CHANNEL 700V 3A TO252 | FET 类型 | N 通道 |
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技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 700 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.4 欧姆 @ 1.2A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 7.4 nC @ 10 V | Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 317 pF @ 100 V | FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 28W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-252,(D-Pak) |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
【Taiwan Semiconductor】TSM7401CS,MOSFET 20V Dual N channel MOSFET
TSM75-H00GM33RT-14.7456M-TR,XTAL OSC XO 14.7456MHZ HCMOS SMD
【Taiwan Semiconductor】TSM75N03CP,MOSFET 25V N channel MOSFET
【Taiwan Semiconductor】TSM7900DCQ,MOSFET Dual 20V N channel MOSFET
【Taiwan Semiconductor】TSM7N60CI,MOSFET 600V 3,5Amp N-Ch MOSFET
【Taiwan Semiconductor】TSM7N60CZ,MOSFET 600V 3,5Amp N-Ch MOSFET