| 描述 | -60V, -4A, COMPLEMENTARY P-CHANN | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | N 和 P 沟道互补型 | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.5A（Ta），5A（Tc），2A（Ta），4A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 103 毫欧 @ 2.5A，10V，180 毫欧 @ 2A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 9.4nC @ 10V，9nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 527pF @ 30V，436pF @ 30V |
| 功率 - 最大值 | 1.4W（Ta），5.7W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
