描述 | MOSFET 2P-CH 12V 2.5A TSST8 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
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配置 | 2 个 P 沟道(双) | FET 功能 | 逻辑电平栅极,1.5V 驱动 |
漏源电压(Vdss) | 12V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.5A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 62 毫欧 @ 2.5A,4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 16nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2000pF @ 6V |
功率 - 最大值 | 1W | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 |
供应商器件封装 | 8-TSST |