| 描述 | MOSFET N/P-CH 30V 2.5A TSST8 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V，20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 90 毫欧 @ 2.5A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 3.2nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 180pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 1W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSST | 供应商设备封装 | 8-TSST |
| 包装 | 带卷 (TR) |
