| 描述 | 4A/6A 5.7KVRMS SING CH ISODR 5V | 技术 | 容性耦合 |
|---|---|---|---|
| 通道数 | 1 | 电压 - 隔离 | 5000Vrms |
| 共模瞬变抗扰度（最小值） | 100V/ns | 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值） | 40ns，40ns |
| 脉宽失真（最大） | 5.5ns | 上升/下降时间（典型值） | 5ns，6ns |
| 电流 - 输出高、低 | 4A，6A | 电流 - 峰值输出 | 4A，6A |
| 电压 - 正向 (Vf)（典型值） | - | 电流 - DC 正向 (If)（最大值） | - |
| 电压 -?输出供电 | 6V ~ 18V | 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC | 认证机构 | CQC，UL，VDE |
