| 描述 | DIODE GPP FAST 1A 800V DO-41 | 电压 - (Vr)（最大） | 800V |
|---|---|---|---|
| 电流 - 平均整流 (Io) | 1A | 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大） | 1.7V @ 1A |
| 速度 | 快速恢复 = 200mA（Io） | 反向恢复时间(trr) | 75ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电 | 10?A @ 800V | 电容@ Vr, F | 17pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 供应商设备封装 | DO-204AL（DO-41） | 包装 | 剪切带 (CT) |
| 其它名称 | UF4006CT |
可适用于大多数应用场合。为承受可能从电网窜入的雷击电压，在交流输入端并联1只压敏电阻器vsr，并且加入1只熔断器，以保证整个电路的安全。为了抑制电路的电磁干扰，在交流侧串入电磁干扰滤波器（由c0，l1组成）来抑制开关电源的上升时间以及变压器振动等产生的噪音。 交流电经过桥式整流器和c1整流滤波后产生高压直流来给高频变压器的一次绕组供电。vs1和vd1能将漏感产生的尖峰电压箝位到安全值，并能衰减振铃电压。vs1采用反向击穿电压为200v的p6kf200型瞬态电压抑制器，vd0采用1a/600v的uf4006型超快恢复二极管。c1为安全电容，接在直流高压端和地之间，能滤除一次绕组、二次绕组耦合电容产生的共模干扰。 高频变压器采用eel25。为减少高频变压器体积和增强磁场耦合程度，二次绕组采用了堆叠式绕法。二次绕组中的一路电压经过vd2、c2、l2及c3整流滤波后得到所需的电压。由于单片开关电源的开关频率较高，因此在输出整流管关断后的反向恢复过程中，会产生开关噪音，容易损坏整流管，而由阻容元件组成的rc电路虽然能对保护二极管和降噪起到一定作用，但效果不很理想，还会在电阻器上产生功率损耗，因此这里选用 ...
78%（对应于uuv=100v）线性地降低到47%（对应于375v）。在掉电后，欠压检测能在c1放电时减少输出干扰，只要出现输出调节失效或者输入电压低于40v的情况，都会使topswitchgx关闭。当开关电源受到450v以上的冲击电压时，r11同样可使top249关断，避免元器件受到损坏。 由vdz1和vd1构成的漏极钳位电路，能吸收在mosfet关断时由高频变压器初级漏感产生的尖峰电压，保护mosfet不受损坏。vdz1采用钳位电压为200v的p6ke200型瞬态电压抑制器，vd1选用uf4006型超快恢复二极管，其反向耐压为800v.将电容c11和vdz1并联后，能减少钳位损耗。选择全频工作方式时，开关频率设定为132khz.为了减小次级绕组和输出整流管的损耗，现将次级绕组分成两路，每路单独使用一只mbr20100型20a/100v的共阴极肖特基对管（vd2、vd3），然后并联工作。输出滤波电路由c2、c3、l1、c4和c14构成。空载时，top249y能自动降低开关频率，使得在交流230v输入时电源损耗仅为520mw.top249y具有频率抖动特性，这对降低电磁干扰很有帮助。只要合理 ...
以滤除共模干扰，c1为输入滤波电容。r11使用2mω的电阻值实现欠压和过压检测，同时提供降低输出电压频率纹波的电压前馈。 top249y在本电路中的直流电压范围为100～450v，一旦超出了该电压范围，top249y将自动关闭。电阻r10使用20.5k电阻值从外部将流限值设定为仅略高于低电压工作时的满载峰值电流，从而允许使用更小的变压器磁芯，同时避免启动和输出负载瞬态的磁芯饱和。vr1即瞬电压抑制管，型号是p6ke200，电容c11与之并联以降低齐纳箝位的损耗。d1为阻断二极管型号可选uf4006。目标钳位电压平均值约为180v.r4，r5，r6为输出电压的取样电阻，取样后与tl431的内部基准电压进行比较，产生误差电压，再通过pc817a光耦反馈到控制引脚c，进而改变top249y的输出占空比，从而稳定输出电压。 3 基于at89c2051的智能控制器 基于at89c2051的智能控制器电路如图4所示，其主要由传感器单元、a/d转换单元、控制器单元组成。at89c2051芯片用于对来自声控和光控传感器检测到的信号经过整形以后的信号数据做处理，进而控制led驱动器。该电路中a ...
8％（对应于uuv=100v）线性地降低到47％（对应于375v）。在掉电后，欠压检测能在c1放电时减少输出干扰，只要出现输出调节失效或者输入电压低于40v的情况，都会使topswitchgx关闭。当开关电源受到450v以上的冲击电压时，r11同样可使top249关断，避免元器件受到损坏。 由vdz1和vd1构成的漏极钳位电路，能吸收在mosfet关断时由高频变压器初级漏感产生的尖峰电压，保护mosfet不受损坏。vdz1采用钳位电压为200v的p6ke200型瞬态电压抑制器，vd1选用uf4006型超快恢复二极管，其反向耐压为800v。将电容c11和vdz1并联后，能减少钳位损耗。选择全频工作方式时，开关频率设定为132khz。为了减小次级绕组和输出整流管的损耗，现将次级绕组分成两路，每路单独使用一只mbr20100型20a／100v的共阴极肖特基对管（vd2、vd3），然后并联工作。输出滤波电路由c2、c3、l1、c4和c14构成。空载时，top249y能自动降低开关频率，使得在交流230v输入时电源损耗仅为520mw。top249y具有频率抖动特性，这对降低电磁干扰很有帮助。只要合理 ...
v，可适用于大多数应用场合。为承受可能从电网窜入的雷击电压，在交流输入端并联1只压敏电阻器vsr，并且加入1只熔断器，以保证整个电路的安全。为了抑制电路的电磁干扰，在交流侧串入电磁干扰滤波器（由c0，l1组成）来抑制开关电源的上升时间以及变压器振动等产生的噪音。交流电经过桥式整流器和c1整流滤波后产生高压直流来给高频变压器的一次绕组供电。vs1和vd1能将漏感产生的尖峰电压箝位到安全值，并能衰减振铃电压。vs1采用反向击穿电压为200v的p6kf200型瞬态电压抑制器，vd0采用1a/600v的uf4006型超快恢复二极管。c1为安全电容，接在直流高压端和地之间，能滤除一次绕组、二次绕组耦合电容产生的共模干扰。高频变压器采用eel25。为减少高频变压器体积和增强磁场耦合程度，二次绕组采用了堆叠式绕法。二次绕组中的一路电压经过vd2、c2、l2及c3整流滤波后得到所需的电压。由于单片开关电源的开关频率较高，因此在输出整流管关断后的反向恢复过程中，会产生开关噪音，容易损坏整流管，而由阻容元件组成的rc电路虽然能对保护二极管和降噪起到一定作用，但效果不很理想，还会在电阻器上产生功率损耗，因此这里选用电感 ...
021m 3a100v vmos管 1000pcs 6.00sla7024m 1.5a100v vmos管 1000pcs 5.00 sla7026m 3a100v vmos管 1000pcs 6.00p6ke200a 瞬变电压抑制器 全新 100000pcs 0.50 uf4006 超快速二极管 全新 1a 800v 75ns 100000pcs 0.15uf4002 超快速二极管 全新 1a 100v 50ns 100000pcs 0.12 uf5402 超快速二极管 全新 3a 100v 50ns 100000pcs 0.45mur480 超快速二极管 全新 4a 800v 75ns 100000pcs 0.60 dei2*31-06 2*31a 600v ...
021m 3a100v vmos管 1000pcs 6.00sla7024m 1.5a100v vmos管 1000pcs 5.00 sla7026m 3a100v vmos管 1000pcs 6.00p6ke200a 瞬变电压抑制器 全新 100000pcs 0.50 uf4006 超快速二极管 全新 1a 800v 50ns 100000pcs 0.18uf4002 超快速二极管 全新 1a 100v 50ns 100000pcs 0.12 uf5402 超快速二极管 全新 3a 100v 50ns 100000pcs 0.45mur480 超快速二极管 全新 4a 800v 75ns 100000pcs 0.60 bq2004pn 镍氢。锂电池充电控制 ...
v，可适用于大多数应用场合。为承受可能从电网窜入的雷击电压，在交流输入端并联1只压敏电阻器vsr，并且加入1只熔断器，以保证整个电路的安全。为了抑制电路的电磁干扰，在交流侧串入电磁干扰滤波器（由c0，l1组成）来抑制开关电源的上升时间以及变压器振动等产生的噪音。交流电经过桥式整流器和c1整流滤波后产生高压直流来给高频变压器的一次绕组供电。vs1和vd1能将漏感产生的尖峰电压箝位到安全值，并能衰减振铃电压。vs1采用反向击穿电压为200v的p6kf200型瞬态电压抑制器，vd0采用1a/600v的uf4006型超快恢复二极管。c1为安全电容，接在直流高压端和地之间，能滤除一次绕组、二次绕组耦合电容产生的共模干扰。高频变压器采用eel25。为减少高频变压器体积和增强磁场耦合程度，二次绕组采用了堆叠式绕法。二次绕组中的一路电压经过vd2、c2、l2及c3整流滤波后得到所需的电压。由于单片开关电源的开关频率较高，因此在输出整流管关断后的反向恢复过程中，会产生开关噪音，容易损坏整流管，而由阻容元件组成的rc电路虽然能对保护二极管和降噪起到一定作用，但效果不很理想，还会在电阻器上产生功率损耗，因此这里选用电感 ...
021m 3a100v vmos管 1000pcs 6.00sla7024m 1.5a100v vmos管 1000pcs 5.00 sla7026m 3a100v vmos管 1000pcs 6.00p6ke200a 瞬变电压抑制器 全新 100000pcs 0.50 uf4006 超快速二极管 全新 1a 800v 75ns 100000pcs 0.18uf4002 超快速二极管 全新 1a 100v 50ns 100000pcs 0.12 uf5402 超快速二极管 全新 3a 100v 50ns 100000pcs 0.45mur480 超快速二极管 全新 4a 800v 75ns 100000pcs 0.60 dei2*31-06 2*31a 600v ...
