描述 | DIODE FAST 1000V 1A DO-41 | 电压 - (Vr)(最大) | 1000V(1kV) |
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电流 - 平均整流 (Io) | 1A | 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大) | 1.7V @ 1A |
速度 | 快速恢复 = 200mA(Io) | 反向恢复时间(trr) | 75ns |
电流 - 在 Vr 时反向漏电 | 10?A @ 1000V | 电容@ Vr, F | 17pF @ 4V,1MHz |
安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
供应商设备封装 | DO-41 | 包装 | 剪切带 (CT) |
其它名称 | UF4007CT |
电荷泵操作 当半桥输出从最大值斜降时,c cp通过二极管vdp2放电。在ic的一个开关周期中为ic提供的总电流为: 在一个开关周期内所能提供的平均电流为: t为开关周期;fsw为开关频率,fsw= frun 为保证ic稳定工作,施加到ic的平均电流选择6.5ma。根据式(11)得:c cp=i avg/ (u dc×f sw ) = 6 . 5 m a / ( 311 v×44.4khz) ≈470pf 二极管vdp1和vdp2选用1kv、1a的超快速恢复uf4007。 (4)其他元件的选择l f选用1mh的电感器,r f选用0.5ω/0.5w的可熔电阻,vd1~vd4选择1n4007,c 1选用2 2 μf / 400 v的高温铝电解电容器,c vdd选用10μf/50v的高温(105℃)铝电解电容器,c p选用3.3nf/1kv的电容,c s选用3.3nf/630v的电容。 l 选用ee19165磁芯,280匝,电感值为2.6mh。 3 结束语 fan7710v是一种简单低成本cfl镇流器控制ic。基于fan7710v的cfl镇流 ...
率、导通时间、绕制方法、磁隙(磨磁芯)等有关。开关变压器的设计是设计开关电源的核心,要有高深的理论知识和多年的经验沉淀,优秀的开关电源设计工程师在选择高品质的磁芯、结合先进的绕制工艺,能设计出效率高于97%的开关变压器。图一中的开关变压器的磁芯选用浙江天通的ee-30l,开关工作频率为65khz,导通时间是0.42t(t是周期),初级78圈,次级8圈,芯片供电绕组9圈,初级电感量1.2mh,漏感小于35uh,变压器的效率可达96%,工作时温升低于60℃。阻尼吸收网络由r2、c3、d1组成,d1用uf4007,c3用1000v4700pf的高压瓷片电容器,r2为120k2w的电阻,r2与c3配合得好,脉冲吸收效果明显,r2与c3失配太多,不但损耗加大,还会辐射电磁波而使emc过不了关。 由于二次整流管在工作时会产生尖脉冲,在输出中会叠加杂波,并且还会辐射电磁波而使emc难过关,故要在二极管两端并联尖脉冲吸收网络r8与c8,图一中c8为22000pf100v的瓷片电容、r8为56欧姆0.5w的碳膜电阻,此吸收网络也是有一定功耗的,c8越大r8越小,损耗越大。 图一尖脉冲吸收网络的功率损耗小于0 ...
环节,如图3(a)所示;电感l2、电容c6和电感l3、l4构成的高频耦合升压互感器组成高压起辉环节,如图3(b)所示;二极管d3~d6组成输入输出整流滤波环节。 交流220v电压经过变压器隔离整流滤波后为125v,作为推挽变换器输入的直流电压。推挽变换器选用功率mosfet器件irf460。电容c1、电阻r1和二极管d1构成尖峰吸收电路,在器件瞬间关断时,吸收开关器件及线路上的尖峰电压,减少功率mos管关断时的电压应力,c1=0.01μf,r1=3.6kω,二极管d1耐压大于500v,选择uf4007。 图3 起辉预燃电路:(a) 预燃主电路;(b) 起辉主电路 3.2 高频变压器设计 高频变压器的磁芯选用软磁铁氧体,磁通密度通常选用bm=0.2t。变压器原端输入电压ui=125v,工作占空比为0.25。副端最大输出电压为1000v,预燃电压为250v,预燃维持电流i=0.1a。原副端的匝数比为n=n1/n2=125/1000=1/8。铁心有效面积s为2cm2,根据公式(1) 取变压器的绕组电流密度j=3a/mm2;输出功率p0=u0i0=250×0. ...
35v耐压还不够吗? 电压只有17v,用35v的电解电容还不够吗? uf4007是快恢复二极管啊, 用1n5819 耐压会不会有问题? ...