| 峰值反向电流 | 0.01mA | 峰值反向重复电压 | 100V |
|---|---|---|---|
| 峰值正向电压 | 1V | 峰值非重复正向浪涌电流 | 0.15kA |
| 引脚数目 | 2 | 整流器类型 | 切换 |
| 最低工作温度 | -55 °C | 最大连续正向电流 | 3A |
| 最高工作温度 | +150 °C | 配置 | 单 |
| 长度 | 9.5mm | 高度 | 5.3mm |
功率mosfet至少能承受700v的高压，同时还必须在漏极增加钳位电路，用以吸收尖峰电压，保护top222g中的功率mosfet。本电源的钳位电路由d2、d3组成。其中d2为瞬态电压抑制器(tvs)p6ke200，d3为超快恢复二极管uf4005。当mosfet导通时，原边电压上端为正，下端为负，使得d3截止，钳位电路不起作用。在mosfet截止瞬间，原边电压变为下端为正，上端为负，此时d1导通，电压被限制在200v左右。 输出环节设计 以+5v输出环节为例，次级线圈上的高频电压经过uf5401型100v／3a的超快恢复二极管d7，由于+5v输出功率相对较大，于是增加了后级lc滤波器，以减少输出纹波电压。滤波电感l2选用被称作"磁珠"的3.3μh穿心电感，可滤除d7在反向恢复过程中产生的开关噪声。 对于其他两路输出，只需在输出端分别加上滤波电容。其中r3、r4分别为输出的假负载，它们能降低各自输出端的空载和轻载电压。 反馈环节设计 反馈同路主要由pc817和tl431及若干电容、电阻构成。其中u2为tl431，它为可调试精密并联稳压器，利用电阻r5、r6分压获得基准电 ...
