| 描述 | IC | 晶体管类型 | 8 NPN 达林顿 |
|---|---|---|---|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 500mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值） | 1.6V @ 500μA，350mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 50μA |
| 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | - | 功率 - 最大值 | - |
| 频率 - 跃迁 | - | 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 18-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 18-SOIC |
