| 描述 | MOSFET 2P-CH 30V 200MA UMT6 | FET 型 | 2 个 P 沟道（双） |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 200mA | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.4 欧姆 @ 200mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 1mA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | - |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 30pF @ 10V | 功率 - 最大 | 150mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装 | UMT6 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | UM6J1NTNTR |
