您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 > umg8ntr
  • UMG8NTR

UMG8NTR

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.081
  • 6000$0.0765
  • 15000$0.06975
  • 30000$0.06525
  • 75000$0.0585
描述TRANS DUAL NPN 50V 100MA SOT-353电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V电阻器 - 基极 (R1)(欧)4.7k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)80 @ 10mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 250?A,5mA电流 - 集电极截止(最大)500nA
频率 - 转换250MHz功率 - 最大150mW
安装类型表面贴装封装/外壳6-TSSOP(5 引线),SC-88A,SOT-353
供应商设备封装UMT5包装带卷 (TR)

umg8ntr的相关型号: