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  • UMH1N-TP

UMH1N-TP

  • 制造商:-
  • 产品培训模块:Diode Handling and Mounting
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列:-
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.076
  • 6000$0.0684
  • 24000$0.057
  • 51000$0.05054
产品属性
描述TRANS ARRAY NPN/NPN W/RES SOT363晶体管类型2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧)22k电阻器 - 发射极 (R2)(欧)22k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)56 @ 5mA,5VIb、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 500?A,10mA
电流 - 集电极截止(最大)500nA频率 - 转换250MHz
功率 - 最大150mW安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363供应商设备封装SOT-363
包装带卷 (TR)其它名称UMH1N-TPMSTR

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