| 描述 | DIODE | 晶体管类型 | NPN，PNP（耦合发射器） |
|---|---|---|---|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 150mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值） | 500mV @ 5mA，50mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 120 @ 1mA，6V | 功率 - 最大值 | 150mW |
| 频率 - 跃迁 | 140MHz | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 |
| 供应商器件封装 | SOT-353 |
