您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 阵列 > umz1nt1g
  • UMZ1NT1G

UMZ1NT1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.06095
  • 6000$0.053
  • 15000$0.04505
  • 30000$0.0424
  • 75000$0.03975
描述TRANS AMP COMP DUAL GP SC88电流 - 集电极 (Ic)(最大)200mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)50VIb、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 10mA,100mA / 300mV @ 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大)2?A在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)200 @ 2mA,6V
功率 - 最大250mW频率 - 转换114MHz,142MHz
安装类型表面贴装封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装SC-88包装带卷 (TR)
其它名称UMZ1NT1GOSUMZ1NT1GOS-NDUMZ1NT1GOSTR

“UMZ1NT1G”技术资料

  • UMZ1NT1G的技术参数

    产品型号:umz1nt1g类型:npn/pnp集电极-发射集最小雪崩电压vceo(v):50集电极最大电流ic(max)(ma):200直流电流增益hfe最小值(db):200直流电流增益hfe最大值(db):400最小电流增益带宽乘积ft(mhz):114(typ.)封装/温度(℃):sot-363/-55~150价格/1片(套):¥.45 来源:零八我的爱 ...

umz1nt1g的相关型号: