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  • UNR221V00L

UNR221V00L

  • 制造商:-
  • 数据列表:UNR221V00L View all Specifications
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列:-
产品属性
描述TRANS NPN W/RES 6 HFE MINI 3P晶体管类型NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧)2.2k电阻器 - 发射极 (R2)(欧)2.2k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)6 @ 5mA,10VIb、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 1.5mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大)500nA频率 - 转换150MHz
功率 - 最大200mW安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商设备封装迷你型3-G1
包装带卷 (TR)其它名称UN221V-(TX)UN221V-TXUN221VTRUN221VTR-NDUNR221V00LTR

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