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  • UNR41160RA

UNR41160RA

  • 制造商:-
  • 数据列表:UNR41160RA View all Specifications
  • 标准包装:5,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列:-
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品属性
描述TRANS PNP W/RES 210HFE NS-B1晶体管类型PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧)4.7k电阻器 - 发射极 (R2)(欧)-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)160 @ 5mA,10VIb、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 300?A,10mA
电流 - 集电极截止(最大)500nA频率 - 转换80MHz
功率 - 最大300mW安装类型通孔
封装/外壳NS-B1供应商设备封装NS-B1
包装带盒(TB)其它名称UNR41160RATB

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