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  • UNR5219G0L

UNR5219G0L

  • 制造商:-
  • 数据列表:UNR5219G0L View all Specifications
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列:-
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品属性
描述TRANS NPN W/RES 30HFE SMINI晶体管类型NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧)1k电阻器 - 发射极 (R2)(欧)10k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)30 @ 5mA,10VIb、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 300?A,10mA
电流 - 集电极截止(最大)500nA频率 - 转换150MHz
功率 - 最大150mW安装类型表面贴装
封装/外壳SC-85供应商设备封装S迷你型3-F2
包装带卷 (TR)其它名称UNR5219G0LTR

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