| 描述 | MOSFET N+P 50V .1A SSMINI-6 | FET 型 | N 和 P 沟道 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 50V，30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 100mA | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 12 欧姆 @ 10mA，4V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 1?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | - |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | - | 功率 - 最大 | 125mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装 | SSMini6-F2 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | UP04979G0LTR |
