| 描述 | MOSFET N-CH SC-88 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 个 N 通道（双），肖特基 | FET 功能 | 逻辑电平栅极，4.5V 驱动 |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100mA（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.7 欧姆 @ 100mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 2nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 20pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 200mW（Ta） | 工作温度 | 150°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | SC-88 |
