描述 | TRANSISTOR NPN DUAL TD | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 6V,5.5V |
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频率 - 转换 | 12GHz,6.5GHz | 噪声系数(dB典型值@频率) | 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz |
增益 | - | 功率 - 最大 | 210mW |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 75 @ 10mA,3V / 100 @ 5mA,1V | 电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 30mA,100mA |
安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TD |
供应商设备封装 | M16,1208 | 包装 | 带卷 (TR) |