| 描述 | MOSFET N+P 20V 1.5A/1A TUMT6 | FET 型 | N 和 P 沟道 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V，20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.5A，1A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 240 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 1mA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 2.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 80pF @ 10V | 功率 - 最大 | 1W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 6-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装 | TUMT6 | 包装 | 带卷 (TR) |
