描述 | 先进先出 Mil Enh 16384x18 Synch 先进先出 Mem | 存储容量 | 288 Kbit |
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定时类型 | Synchronous | 组织 | 16 K x 18, 32 K x 9 |
最大时钟频率 | 133 MHz | 访问时间 | 5 ns |
Supply Voltage - Max | 3.45 V | Supply Voltage - Min | 3.15 V |
最大工作电流 | 35 mA | 最大工作温度 | + 125 C |
封装 / 箱体 | LQFP-80 | 封装 | Tray |
最小工作温度 | - 55 C | 安装风格 | SMD/SMT |
工厂包装数量 | 90 |
【Texas Instruments】V62/03639-03XE,先进先出 Mil Enh 32768x18 Synch 先进先出 Mem
【Texas Instruments】V62/03639-04XE,先进先出 Mil Enh 65536x18 Synch 先进先出 Mem
【Texas Instruments】V62/03640-01XA,数字信号处理器与控制器 (DSP, DSC) Mil Enh Fixed-Point Dig Signal Proc
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【Texas Instruments】V62/03642-01XE,门(与/非与/或/非或) Mil Enh Conf Mult Function Gate
【Texas Instruments】V62/03643-01XE,校验器 IC Mil En Dual MicroPwr LinCMOS Vltg Comp
【Texas Instruments】V62/03644-01YE,低压降 (LDO) 调节器 Mil Enh UltraLo Noise Hi PSRR 100mA
【Texas Instruments】V62/03644-02XE,低压降 (LDO) 调节器 Mil Enh UltraLo Noise Hi PSRR 100mA