描述 | 运算放大器 - 运放 Mil Enh Adv LinCMOS R-R Very Lo-Pwr | 输入偏流(最大值) | 60 pA |
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工作电源电压 | 3 V, 5 V, 9 V, 12 V, 15 V | 安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | SOIC-8 | 转换速度 | 0.12 V/us |
关闭 | No | 最大工作温度 | + 125 C |
封装 | Reel | 最小工作温度 | - 40 C |
工厂包装数量 | 2500 | 电源电流 | 0.125 mA |
Supply Voltage - Max | 16 V | Supply Voltage - Min | 2.7 V |
技术 | LinCMOS | 电压增益 dB | 124.61 dB |
【Texas Instruments】V62/04651-02UE,运算放大器 - 运放 Mil Enh Adv LinCMOS R-R Very Lo-Pwr
【Texas Instruments】V62/04651-03XE,运算放大器 - 运放 Mil Enh Adv LinCMOS R-R Very Lo-Pwr
【Texas Instruments】V62/04651-04XE,运算放大器 - 运放 Mil Enh Adv LinCMOS R-R Very Lo-Pwr
【Texas Instruments】V62/04652-01XE,门(与/非与/或/非或) Mil Enh Quad 2-Inp Pos-NAND Gate
【Texas Instruments】V62/04652-01YE,门(与/非与/或/非或) Mil Enh Quad 2-Inp Pos-NAND Gate
【Texas Instruments】V62/04652-02YE,门(与/非与/或/非或) Mil Enh Quad 2-Inp Pos-NAND Gate