| 描述 | MODULE MOSFET H-BRIDGE V2 | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 500V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 116 毫欧 @ 30A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 270nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
| 功率 - 最大 | - | 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | V2-PAK | 供应商设备封装 | V2-PAK |
| 包装 | 盒 |
