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VEMT2500X01

制造商：-
最大功率耗散：100 mW
封装 / 箱体：Reverse Gull Wing
集电极—发射极最大电压 VCEO：20 V
集电极—射极饱和电压：0.4 V

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参考价格

数量单价
1￥4.90
10￥4.42
50￥3.59
100￥3.04
200￥2.62

产品属性

描述	Phototransistors NPN PHOTO TRANS	最大工作温度	+ 100 C
最小工作温度	- 40 C	封装	Reel
产品	Phototransistor	类型	Phototransistor
波长	850 nm

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