| 描述 | MOSFET N-CH 200V 580A MODULE | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 200V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 580A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 3.8 毫欧 @ 430A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 50mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 2750nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
| 功率 - 最大 | - | 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | Y3-Li | 供应商设备封装 | Y3-Li |
| 包装 | 散装 | 其它名称 | Q1221985A |
