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VN0808L

制造商：-
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：80 V
闸/源击穿电压：+/- 30 V
漏极连续电流：0.3 A

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产品属性

描述	MOSFET 80V 0.3A 0.8W	电阻汲极/源极 RDS（导通）	4000 mOhms
配置	Single	最大工作温度	+ 150 C
安装风格	Through Hole	封装 / 箱体	TO-226AA-3
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	800 mW
工厂包装数量	500

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