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VN10KE

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:60 V
  • 闸/源击穿电压:- 0.3 V, 15 V
  • 漏极连续电流:0.17 A
产品属性
描述MOSFET 60V 5 OHM配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TO-206AC-3最小工作温度- 55 C
功率耗散300 mW工厂包装数量200

“VN10KE”电路图

  • 电话斩线拾测笨电路图

    ,巳通过vt7放电。这里检测电路包括对c5充电的半波整流器,这比采用电阻效果要好得多。低阻抗输出采用mosfet(vt8)。 由于mosfet在栅-源司接有稳压二极管,因此需要使用较大的栅极电阻。当mosfet进入导通范围时,其内稳压二极管能防止过载。电话线的高电压可能决定所采用元件的额定功率,元件参数不是临界值。为了减小漏电流的影响,高阻值的电阻(超过10mω)应采用多个电阻串联。 在该电路中,vt1、vt2采用mpsa92晶体管,vt3~vt7采用mpsa42晶体管,vt8采用vn10ke晶体管。 来源:university ...

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