您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > vn1206l

VN1206L

制造商：-
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：120 V
闸/源击穿电压：+/- 30 V
漏极连续电流：0.23 A

发布求购更多供应商

Data sheet：下载

产品属性

描述	MOSFET 120V 0.23A 0.6W	电阻汲极/源极 RDS（导通）	6000 mOhms
配置	Single	最大工作温度	+ 150 C
安装风格	Through Hole	封装 / 箱体	TO-226AA-3
下降时间	3 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	800 mW	上升时间	3 ns
工厂包装数量	500	典型关闭延迟时间	7 ns

vn1206l的相关型号：