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VN2010L

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:200 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 30 V
  • 漏极连续电流:0.19 A
产品属性
描述MOSFET 200V 0.19A 0.8W电阻汲极/源极 RDS(导通)10 Ohms
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-226AA
最小工作温度- 55 C功率耗散0.8 W
工厂包装数量500

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