描述 | MOSFET 500V 0.33A 0.8W | 电阻汲极/源极 RDS(导通) | 300000 mOhms |
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配置 | Single | 最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | Through Hole | 封装 / 箱体 | TO-226AA-3 |
下降时间 | 7 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 800 mW | 上升时间 | 7 ns |
工厂包装数量 | 500 | 典型关闭延迟时间 | 8 ns |
【STMicroelectronics】VN5050AJ-E,IC DVR 1CH HISID AUTO POWERSSO12
【STMicroelectronics】VN5050AJTR-E,IC DVR 1CH HISID AUTO POWERSSO12
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