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VNW50N04-E

描述MOSFET N-Ch 42V 50A OmniFET电阻汲极/源极 RDS(导通)0.012 Ohms
安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-247
封装Tube正向跨导 gFS(最大值/最小值)50 S
功率耗散208 W工厂包装数量30

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