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VP0610T

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:60 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 30 V
  • 漏极连续电流:0.12 A
产品属性
描述MOSFET 60V 0.12A 0.36W电阻汲极/源极 RDS(导通)10000 mOhms
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体TO-236-3
封装Tube最小工作温度- 55 C
功率耗散360 mW工厂包装数量1000

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