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VP0808B-E3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：- 80 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V

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产品属性

描述	MOSFET 80V 3A 6.25W	漏极连续电流	0.88 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	5 Ohms	配置	Single
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	Stud
封装 / 箱体	TO-205AD	封装	Bulk
下降时间	20 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	6.25 W	上升时间	30 ns
工厂包装数量	100	典型关闭延迟时间	20 ns

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