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VP2020L

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:- 200 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
  • 漏极连续电流:- 0.12 A
产品属性
描述MOSFET 200V 0.12A 0.8W电阻汲极/源极 RDS(导通)20 Ohms
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-92
封装Reel下降时间8 ns
最小工作温度- 55 C功率耗散0.8 W
上升时间8 ns工厂包装数量500
典型关闭延迟时间18 ns

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