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VQ1001P

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥463.68
  • 10¥441.53
  • 25¥419.45
  • 50¥397.37
  • 100¥375.36
产品属性
描述MOSFET QD 30V 0.53A漏极连续电流0.83 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)1 Ohms配置Quad
最大工作温度+ 150 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体SBCDIP-14封装Tube
最小工作温度- 55 C功率耗散2 W

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