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VQ2004J

制造商：-
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：- 60 V
闸/源击穿电压：+/- 30 V
漏极连续电流：0.41 A

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产品属性

描述	MOSFET Quad 60V 0.41A	电阻汲极/源极 RDS（导通）	5 Ohms
配置	Quad	最大工作温度	+ 150 C
安装风格	Through Hole	封装 / 箱体	PDIP-14
下降时间	20 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	2 W	上升时间	30 ns
工厂包装数量	25	典型关闭延迟时间	20 ns

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