| 描述 | MTP - HALF BRIDGE IGBT | IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
|---|---|---|---|
| 配置 | 半桥 | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 75 A | 功率 - 最大值 | 305 W |
| 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值） | 2.65V @ 15V，40A | 电流 - 集电极截止（最大值） | 50 μA |
| 不同?Vce 时输入电容 (Cies) | 3.2 nF @ 25 V | 输入 | 标准 |
| NTC 热敏电阻 | 无 | 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | 12-MTP 模块 |
| 供应商器件封装 | 12-MTP |
