| 描述 | TVS DIODE 4.8VWM 11VC SMD2012 | 类型 | 齐纳 |
|---|---|---|---|
| 单向通道 | - | 双向通道 | 1 |
| 电压 - 反向断态（典型值） | 4.8V（最大） | 电压 - 击穿（最小值） | 4.85V |
| 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值） | 11V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs) | 100A（8/20μs） |
| 功率 - 峰值脉冲 | 1100W（1.1kW） | 电源线路保护 | 无 |
| 应用 | 通用 | 不同频率时电容 | - |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TA） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 0805（2012 公制） | 供应商器件封装 | SMD2012 |
