| 描述 | BIPOLAR MODULE-THYRISTOR/DIODE E | 结构 | 桥接，3 相 - SCR/二极管 - IGBT 带二极管 |
|---|---|---|---|
| SCR 数，二极管 | 3 SCRs，3 个二极管 | 电压 - 断态 | 1.6 kV |
| 电流 - 通态 (It (AV))（最大值） | 48 A | 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值） | 200 A |
| 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值） | 1.5 V | 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值） | 95 mA |
| 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm) | 1100A，1190A | 电流 - 保持 (Ih)（最大值） | 200 mA |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | E2 |
