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VWM200-01P

  • 制造商:IXYS(IXYS,IXYS)
  • 标准包装:5
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:-
  • FET 型:6 N-沟道(3 相桥)
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MODULE VWM 6PACK 210A 100V V2FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C210A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.2 毫欧 @ 100A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 2mA
闸电荷(Qg) @ Vgs430nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds-
功率 - 最大-安装类型通孔
封装/外壳V2-PAK供应商设备封装V2-PAK
包装

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