| 描述 | DIODE GEN PURP 6KV 5750A W112 | 技术 | 标准 |
|---|---|---|---|
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 6000 V | 电流 - 平均整流 (Io) | 5750A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.4 V @ 4000 A | 速度 | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | 73 μs | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 120 mA @ 6000 V |
| 不同?Vr、F 时电容 | - | 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | DO-200AE | 供应商器件封装 | W112 |
| 工作温度 - 结 | -40°C ~ 150°C |
