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W947D2HBJX6E

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产品属性

描述	IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA	存储器类型	易失
存储器格式	DRAM	技术	SDRAM - 移动 LPDDR
存储容量	128Mb	存储器组织	4M x 32
存储器接口	并联	时钟频率	166 MHz
写周期时间 - 字，页	15ns	访问时间	5 ns
电压 - 供电	1.7V ~ 1.95V	工作温度	-25°C ~ 85°C（TC）
安装类型	表面贴装型	封装/外壳	90-TFBGA
供应商器件封装	90-VFBGA（8x13）

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