| 描述 | IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA | 存储器类型 | 易失 |
|---|---|---|---|
| 存储器格式 | DRAM | 技术 | SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B |
| 存储容量 | 512Mb | 存储器组织 | 16M x 32 |
| 存储器接口 | HSUL_12 | 时钟频率 | 400 MHz |
| 写周期时间 - 字，页 | 15ns | 访问时间 | - |
| 电压 - 供电 | 1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V | 工作温度 | -25°C ~ 85°C（TC） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 134-VFBGA |
| 供应商器件封装 | 134-VFBGA（10x11.5） |
